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武漢科思特電化學(xué)工作站

武漢科思特電化學(xué)工作站

簡要描述:武漢科思特電化學(xué)工作站:±2A電流范圍(可擴展至5A長效機製,20A)規模最大;±10V電壓范圍(可擴展至50V)為產業發展;±21V槽壓范圍(可擴展至200V);全浮地式測量開展;自由組合測試帶動擴大。

產(chǎn)品型號: CS150H

所屬分類:武漢科思特電化學(xué)工作站

更新時間:2024-10-10

廠商性質(zhì):經(jīng)銷商

詳情介紹
品牌CorrTest/科思特電位精度0.1%×滿量程讀數(shù)±1mV
恒電位范圍±2.0v電流范圍2nA~2AmA
電流精度0.1%×滿量程讀數(shù)產(chǎn)地類別國產(chǎn)
價格區(qū)間面議儀器種類電化學(xué)工作站
應(yīng)用領(lǐng)域醫(yī)療衛(wèi)生,化工,生物產(chǎn)業(yè),能源,電子恒電位控制范圍±10V
電位控制精度0.1%×滿量程讀數(shù)±1mV電位靈敏度10μV(>100Hz), 3μV(<10Hz)
電位上升時間﹤1μS(<10mA),<10μS(<2A)參比電極輸入阻抗1012Ω||20pF
槽壓輸出±21V (可擴展至±200V)CV和LSV掃描速度0.001mV~10000V/s
CA和CC脈沖寬度0.0001~65000sSWV頻率0.001~100KHz
AD數(shù)據(jù)采集16bit@1MHz,20bit @1KHzDA分辨率16bit
建立時間1μS通訊接口USB2.0
外形尺寸(cm)36.4(W)X32.0 (D)X16.0 (H)恒電流控制范圍±2.0A
電流控制精度0.1%×滿量程讀數(shù)電流靈敏度1pA
電流量程2nA~2A, 共10檔最大輸出電流2.0A
電流掃描增量1mA @1A/mS電位掃描電位增量0.076mV @1V/mS
DPV和NPV脈沖寬度0.0001~1000sCV的最小電位增量0.075mV
電流與電位量程自動設(shè)置低通濾波器8段可編程
儀器重量6.5Kg

一簡單化、產(chǎn)品介紹

武漢科思特電化學(xué)工作站采用全浮地式設(shè)計積極拓展新的領域,具有出色的穩(wěn)定性和度,*硬件和功能完善的軟件與時俱進,為涉及能源、材料解決方案、生命科學(xué)更優質、環(huán)保等領(lǐng)域的科技工作者提供了的科研平臺成就。

●應(yīng)用

(1)電合成、電沉積(電鍍)貢獻法治、陽氧化密度增加、電解等反應(yīng)機理研究;

(2)電化學(xué)分析研究相對較高;

(3)能源材料(鋰離子電池信息化、太陽能電池、燃料動力電池和超級電容器等)創新內容、*功能材料以及傳感器的性能研究全方位;

(4)金屬材料的腐蝕行為研究與耐蝕性評價;

(5)緩蝕劑實踐者、水質(zhì)穩(wěn)定劑管理、涂層以及陰保護效率的快速評價。

●硬件特點

雙通道相關(guān)分析器和雙通道高速16bit/高精度24bit AD轉(zhuǎn)換器

高帶寬高輸入阻抗的放大器

內(nèi)置FPGA DDS信號合成器

高功率恒電位儀/恒電流儀/零電阻電流計

電壓控制范圍:±10V豐富,槽壓為±21V(可擴展至±200V)

電流控制范圍:±2.0A(可擴展至20A)

電位分辨率:10μV,電流分辨率:1pA(可延伸至100fA)

●軟件特點

①數(shù)據(jù)分析

伏安曲線的平滑、積分和微分運算善於監督,計算各氧化還原峰的峰電流大局、峰電位和峰面積等;

化曲線的三參數(shù)或四參數(shù)動力學(xué)解析數據,計算Tafel斜率ba效率和安,bc,腐蝕電流密度icorr應用提升,限擴散電流不同需求、化電阻Rp和腐蝕速率等,還可由電化學(xué)噪聲譜計算功率譜密度新品技、噪聲電阻Rn和譜噪聲電阻Rsn(f)發展空間。

②實時存儲

CS Studio實時存儲測量數(shù)據(jù),即使因斷電導(dǎo)致測試中斷保持穩定,中斷之前的數(shù)據(jù)也會自動保存就此掀開。

③定時測量

CS Studio測試軟件具有定時測量功能,對于某些需要研究體系隨時間變化特征時,可提前設(shè)好測試參數(shù)與間隔時間總之,讓儀器在無人值守下自動定時測量,為實驗提供方便紮實做。

●技術(shù)優(yōu)勢

①化曲線

具有線性化和Tafel化曲線測量功能拓展基地,用戶可設(shè)定循環(huán)化曲線的陽回掃電流(鈍化膜擊穿電流),來確定材料的點蝕電位和保護電位多元化服務體系,評價晶間腐蝕敏感性處理。軟件采用非線性擬合算法解析化曲線攜手共進,可用于材料耐蝕性和緩蝕劑性能的快速評價。

②伏安分析

能完成線性掃描伏安(LSV)自然條件、循環(huán)伏安(CV)擴大公共數據、階梯伏安(SCV)、方波伏安(SWV)體系流動性、差分脈沖伏安(DPV)設計標準、交流伏安(ACV)、溶出伏安等多種電分析方法助力各行,集成峰面積經過、峰電流計算和標(biāo)準(zhǔn)曲線分析功能。

③電化學(xué)噪聲

采用高阻跟隨器和零阻電流計測量腐蝕體系自發(fā)的電位與電流波動將進一步,可用于點蝕更加堅強、電偶腐蝕、縫隙腐蝕和應(yīng)力腐蝕開裂等局部腐蝕研究實際需求。通過噪聲譜分析配套設備,可評估亞穩(wěn)態(tài)蝕點或裂紋的誘導(dǎo)、生長和死亡過程性能〗ㄗh;谠肼曤娮韬忘c蝕指數(shù)計算,也可用于局部腐蝕監(jiān)測設計。

④功率擴展

CS系列電化學(xué)工作站的電流控制范圍為±2.0A,槽壓輸出≥21V,可滿足燃料動力電池善謀新篇、大功率電池充放電推進高水平、電化學(xué)電解或電沉積等領(lǐng)域的需求。采用專用的功率擴展器供給,大輸出電流可達(dá)20A不斷發展,槽壓±200V。

⑤全浮地測量

CS系列電化學(xué)工作站采用全浮地式工作電拓展應用,可用于工作電本身接地體系的電化學(xué)研究非常重要,如用于高壓釜電化學(xué)測試(釜體接地),大地中金屬構(gòu)件(橋梁取得明顯成效、混凝土鋼筋)的在線腐蝕研究等基地。

⑥光電測試模塊

武漢科思特電化學(xué)工作站可以與光強計、分光光度計聯(lián)用大力發展,用于光電化學(xué)測量約定管轄,在進行電化學(xué)測量的同時記錄光電流或光譜響應(yīng)信號。

⑦自定義方法

支持用戶自定義組合測量,用戶可以設(shè)定定時循環(huán)進行某一測試方法或多種方法的組合測試核心技術,用于無人值守下的定時自動測量綠色化;

提供API通用接口函數(shù)和開發(fā)實例,方便用戶二次開發(fā)和自定義測試方法創新能力;

提供用戶自定義腳本編寫范例,用于實現(xiàn)您*的電化學(xué)實驗技術(shù)主動性。

二發展、技術(shù)參數(shù)

硬件參數(shù)指標(biāo)

恒電位控制范圍:±10V

恒電流控制范圍:±2.0A

電位控制精度:0.1%×滿量程讀數(shù)±1mV

電流控制精度:0.1%×滿量程讀數(shù)

電位靈敏度:10μV(>100Hz),3μV(<10Hz)

電流靈敏度:1pA

電位上升時間:﹤1μS(<10mA),<10μS(<2A)

電流量程:2nA~2A,共10檔

參比電輸入阻抗:1012Ω||20pF

大輸出電流:2.0A

槽壓輸出:±21V(可擴展至±200V)

電流掃描增量:1mA@1A/mS

CV和LSV掃描速度:0.001mV~10000V/s

電位掃描電位增量:0.076mV@1V/mS

CA和CC脈沖寬度:0.0001~65000s

DPV和NPV脈沖寬度:0.0001~1000s

SWV頻率:0.001~100KHz

CV的小電位增量:0.075mV

AD數(shù)據(jù)采集:16bit@1MHz,20bit@1KHz

電流與電位量程:自動設(shè)置

DA分辨率:16bit範圍,建立時間:1μS

低通濾波器:8段可編程

通訊接口:USB2.0

儀器重量:6.5Kg

外形尺寸(cm):36.4(W)X32.0(D)X16.0(H)



配置:

1)儀器主機1臺

2)CS Studio測試與分析軟件1套

3)模擬電解池1個

4)電源線/USB數(shù)據(jù)線各1條

5)電電纜線1條

6)電腦(選配*)

三效果、功能方法

CS單通道系列不同型號功能方法比較

功能方法

CS150H

CS300H

CS310H

CS350H

穩(wěn)態(tài)化

開路電位(OCP)

恒電位化(i-t曲線)

恒電流化

動電位掃描(Tafel曲線)

動電流掃描(DGP)

電位掃描-階躍




暫態(tài)化

任意恒電位階梯波

任意恒電流階梯波

恒電位階躍(VSTEP)

恒電流階躍(ISTEP)

計時分析

計時電位法(CP)


計時電流法(CA)


計時電量法(CC)


伏安分析

線性掃描伏安(LSV)

線性循環(huán)伏安(CV)

階梯循環(huán)伏安(SCV)



方波伏安(SWV)



差分脈沖伏安(DPV)



常規(guī)脈沖伏安(NPV)



差分常規(guī)脈沖伏安(DNPV)



交流伏安(ACV)



二次諧波交流伏安(SHACV)



傅里葉變換交流伏安(FTACV)



電流檢測

差分脈沖電流檢測(DPA)




雙差分脈沖電流檢測(DDPA)




三脈沖電流檢測(TPA)




積分脈沖電流檢測(IPAD)




溶出伏安

電位溶出分析(PSA)



線性掃描溶出伏安(LSSV)



階梯溶出伏安(SCSV)



方波溶出伏安(SWSV)



差分脈沖溶出伏安(DPSV)



常規(guī)脈沖溶出伏安(NPSV)



差分常規(guī)脈沖溶出伏安(DNPSV)



交流阻抗

阻抗-頻率掃描



阻抗-時間掃描



阻抗-電位掃描(Mott-Schottky曲線)



充放電測試

電池充放電

恒電流充放電(GCD)

恒電位充放電

恒電位間歇滴定技術(shù)(PITT)

恒電流間歇滴定技術(shù)(GITT)

雙恒測量

氫擴散測試(HDT)





盤環(huán)電測試





擴展測量

電化學(xué)噪聲(EN)

數(shù)字記錄儀

電化學(xué)溶解/沉積

控制電位電解庫倫法(BE)

動電位再活化法(EPR)

溶液電阻測量

循環(huán)化曲線(CPP)


注:

*氫擴散及旋轉(zhuǎn)盤環(huán)電測試需配置CS1002恒電位/恒電流儀或采用CS2350雙恒電位儀。

*光電測量功能用戶選配。

*產(chǎn)品3年質(zhì)保求得平衡。




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