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武漢(hàn)科思特電化學工(gōng)作站

簡(jiǎn)要(yào)描述(shù):武漢科(kē)思特(tè)電(diàn)化(huà)學(xué)工作站:±2A電(diàn)流(liú)範圍(可擴(kuò)展(zhǎn)至5A,20A);±10V電壓(yā)範(fàn)圍(可擴展至(zhì)50V);±21V槽壓範(fàn)圍(可擴展至200V);全(quán)浮地(dì)式(shì)測(cè)量;自(zì)由(yóu)組合測試。

產(chǎn)品型號: CS150H

所屬分類:武漢科(kē)思特(tè)電(diàn)化學工作站

更(gēng)新時間:2024-10-10

廠商性(xìng)質(zhì):經(jīng)銷(xiāo)商

詳(xiáng)情介(jiè)紹
品牌(pái)CorrTest/科思特電位精度(dù)0.1%×滿量(liáng)程讀(dú)數±1mV
恒電(diàn)位(wèi)範圍±2.0v電流(liú)範(fàn)圍(wéi)2nA~2AmA
電(diàn)流精(jīng)度(dù)0.1%×滿量程(chéng)讀數產地類別國產(chǎn)
價格區間麵議儀(yí)器(qì)種類電化(huà)學工作站
應用(yòng)領域醫(yī)療(liáo)衛生(shēng),化(huà)工(gōng),生物(wù)產業(yè),能(néng)源,電子(zǐ)/電(diàn)池恒(héng)電(diàn)位控製範(fàn)圍±10V
電(diàn)位控(kòng)製精度0.1%×滿量程(chéng)讀(dú)數±1mV電位(wèi)靈(líng)敏度(dù)10μV(>100Hz), 3μV(<10Hz)
電(diàn)位上升時(shí)間(jiān)﹤1μS(<10mA),<10μS(<2A)參比電極(jí)輸(shū)入阻抗1012Ω||20pF
槽壓(yā)輸出(chū)±21V (可(kě)擴展(zhǎn)至±200V)CV和LSV掃(sǎo)描(miáo)速度0.001mV~10000V/s
CA和CC脈衝寬(kuān)度0.0001~65000sSWV頻率0.001~100KHz
AD數據采集16bit@1MHz,20bit @1KHzDA分辨(biàn)率16bit
建立(lì)時(shí)間1μS通(tōng)訊接口USB2.0
外形尺寸(cm)36.4(W)X32.0 (D)X16.0 (H)恒電流(liú)控製(zhì)範(fàn)圍(wéi)±2.0A
電流控(kòng)製精度0.1%×滿(mǎn)量程讀數(shù)電(diàn)流靈(líng)敏(mǐn)度(dù)1pA
電(diàn)流量(liáng)程2nA~2A, 共(gòng)10檔(dàng)最大輸(shū)出(chū)電流(liú)2.0A
電(diàn)流掃描增量(liáng)1mA @1A/mS電位掃(sǎo)描電(diàn)位增(zēng)量(liáng)0.076mV @1V/mS
DPV和NPV脈衝寬(kuān)度0.0001~1000sCV的(dí)最小電位增量(liáng)0.075mV
電流(liú)與(yǔ)電位量(liáng)程自(zì)動設置(zhì)低通濾波(bō)器(qì)8段(duàn)可(kě)編程(chéng)
儀器(qì)重(zhòng)量6.5Kg

一(yī),產(chǎn)品介紹(shào)

武(wǔ)漢科(kē)思特電化學(xué)工(gōng)作站(zhàn)采(cǎi)用(yòng)全(quán)浮地(dì)式設計(jì),具有出色的(dí)穩定性和度(dù),*硬件(jiàn)和功(gōng)能(néng)*的軟(ruǎn)件,為涉(shè)及能源(yuán),材(cái)料,生命科學,環保等(děng)領(lǐng)域的(dí)科(kē)技工作者(zhě)提供了(liǎo)的科(kē)研平(píng)台。

●應(yīng)用(yòng)

(1)電(diàn)合(hé)成,電沉(chén)積(電鍍(dù)),陽氧化(huà),電解等(děng)反應機理研究;

(2)電(diàn)化(huà)學(xué)分析研(yán)究;

(3)能(néng)源材料(鋰(lǐ)離子(zǐ)電池(chí),太(tài)陽(yáng)能(néng)電池(chí),燃料動力(lì)電(diàn)池(chí)和(hé)超級電(diàn)容器(qì)等),*功能(néng)材料以(yǐ)及(jí)傳感器(qì)的性(xìng)能研(yán)究(jiū);

(4)金屬(shǔ)材(cái)料(liào)的腐蝕行為(wéi)研究與耐蝕(shí)性評(píng)價(jià);

(5)緩(huǎn)蝕(shí)劑,水質穩(wěn)定劑(jì),塗(tú)層以(yǐ)及陰保(bǎo)護效率的(dí)快(kuài)速評(píng)價(jià)。

●硬件(jiàn)特(tè)點

雙通道(dào)相(xiāng)關分析器和雙(shuāng)通道高速16bit/高(gāo)精(jīng)度24bit AD轉(zhuǎn)換(huàn)器

高帶寬高(gāo)輸(shū)入阻(zǔ)抗的(dí)放大器(qì)

內置(zhì)FPGA DDS信號合成(chéng)器(qì)

高(gāo)功(gōng)率恒(héng)電位儀(yí)/恒(héng)電(diàn)流儀/零電阻電流(liú)計

電壓控製(zhì)範(fàn)圍(wéi):±10V,槽(cáo)壓為±21V(可擴展至(zhì)±200V)

電流控(kòng)製(zhì)範圍(wéi):±2.0A(可(kě)擴展至(zhì)20A)

電位(wèi)分(fēn)辨率:10μV,電(diàn)流分辨率:1pA(可延伸至100fA)

●軟(ruǎn)件特(tè)點

①數(shù)據分(fēn)析

伏安曲綫(xiàn)的平(píng)滑(huá),積分和(hé)微分(fēn)運算,計(jì)算(suàn)各氧化(huà)還原峰的峰(fēng)電(diàn)流(liú),峰電位和(hé)峰麵積等(děng);

化曲綫的(dí)三參數或四參(cān)數(shù)動力(lì)學(xué)解(jiě)析(xī),計(jì)算Tafel斜率ba,bc,腐蝕電(diàn)流密度icorr,限(xiàn)擴散電(diàn)流,化電(diàn)阻Rp和腐蝕(shí)速率等(děng),還可由電化(huà)學噪聲(shēng)譜計(jì)算(suàn)功率譜(pǔ)密度,噪(zào)聲電阻(zǔ)Rn和譜噪聲電阻Rsn(f)。

②實時(shí)存(cún)儲(chǔ)

CS Studio實時(shí)存儲測(cè)量(liáng)數據,即使因(yīn)斷電(diàn)導致(zhì)測(cè)試中斷,中斷(duàn)之前的數據(jù)也會(huì)自(zì)動保(bǎo)存。

③定(dìng)時測量(liáng)

CS Studio測(cè)試軟件具有定(dìng)時測量功能,對(duì)於某些需(xū)要(yào)研究(jiū)體係(xì)隨(suí)時間(jiān)變化特征(zhēng)時,可(kě)提前設好(hǎo)測(cè)試(shì)參(cān)數與間隔時間,讓儀(yí)器在無人(rén)值守下自(zì)動定時測量(liáng),為實(shí)驗提供方便。

●技(jì)術優(yōu)勢

①化曲綫

具有(yǒu)綫性(xìng)化和(hé)Tafel化曲綫測量(liáng)功能(néng),用戶(hù)可設定(dìng)循環化曲(qū)綫(xiàn)的陽(yáng)回掃電流(鈍化膜(mó)擊(jī)穿電(diàn)流(liú)),來確(què)定(dìng)材(cái)料(liào)的點(diǎn)蝕電位(wèi)和(hé)保(bǎo)護電(diàn)位,評價(jià)晶(jīng)間腐(fǔ)蝕(shí)敏(mǐn)感(gǎn)性(xìng)。軟件采用非(fēi)綫(xiàn)性擬(nǐ)合(hé)算法解析化曲綫,可用於材料耐(nài)蝕性和緩蝕劑(jì)性(xìng)能的快速評(píng)價。

②伏(fú)安(ān)分(fēn)析

能完成(chéng)綫性(xìng)掃描(miáo)伏安(ān)(LSV),循(xún)環伏(fú)安(ān)(CV),階梯(tī)伏(fú)安(ān)(SCV),方波伏(fú)安(ān)(SWV),差(chà)分(fēn)脈(mài)衝伏(fú)安(DPV),交(jiāo)流伏(fú)安(ACV),溶出伏(fú)安等(děng)多種(zhǒng)電分(fēn)析方法,集成峰麵積,峰電流計(jì)算和(hé)標(biāo)準曲綫分(fēn)析(xī)功能。

③電(diàn)化學(xué)噪聲

采(cǎi)用高(gāo)阻跟隨(suí)器和(hé)零阻電(diàn)流(liú)計(jì)測量(liáng)腐蝕體(tǐ)係自發(fā)的電位(wèi)與電流(liú)波(bō)動,可用(yòng)於(yú)點(diǎn)蝕,電偶(ǒu)腐蝕,縫(féng)隙腐(fǔ)蝕(shí)和(hé)應力腐蝕(shí)開(kāi)裂等(děng)局部(bù)腐(fǔ)蝕(shí)研究(jiū)。通(tōng)過噪聲(shēng)譜(pǔ)分析,可評(píng)估亞穩態蝕(shí)點或裂(liè)紋的誘導,生(shēng)長和死亡過(guò)程。基於噪(zào)聲電阻和點(diǎn)蝕指數(shù)計算,也(yě)可(kě)用於局部腐(fǔ)蝕監測(cè)。

④功(gōng)率(shuài)擴(kuò)展

CS係(xì)列電(diàn)化學(xué)工(gōng)作(zuò)站(zhàn)的(dí)電流(liú)控(kòng)製範圍為±2.0A,槽(cáo)壓(yā)輸出(chū)≥21V,可滿(mǎn)足燃料動(dòng)力(lì)電池(chí),大功(gōng)率電池充放電,電化(huà)學(xué)電(diàn)解或電沉(chén)積(jī)等(děng)領(lǐng)域的需求(qiú)。采用專用(yòng)的功率(shuài)擴展器,大(dà)輸(shū)出電(diàn)流(liú)可達(dá)20A,槽(cáo)壓±200V。

⑤全浮(fú)地(dì)測量

CS係列(liè)電(diàn)化學工(gōng)作站采用全(quán)浮(fú)地(dì)式(shì)工作電(diàn),可(kě)用(yòng)於工(gōng)作電(diàn)本身(shēn)接(jiē)地(dì)體(tǐ)係的電(diàn)化學(xué)研究(jiū),如(rú)用(yòng)於(yú)高(gāo)壓釜電化(huà)學測試(釜體接地(dì)),大地(dì)中金(jīn)屬構(gòu)件(橋梁,混(hùn)凝土(tǔ)鋼筋)的在綫腐蝕研(yán)究等。

⑥光電測(cè)試(shì)模塊

武(wǔ)漢科思特(tè)電化(huà)學(xué)工(gōng)作站可以與(yǔ)光強(qiáng)計(jì),分(fēn)光光度計(jì)聯用,用(yòng)於光電化學(xué)測量,在進行電(diàn)化(huà)學(xué)測量的同時(shí)記錄光(guāng)電(diàn)流(liú)或光(guāng)譜響應信號(hào)。

⑦自(zì)定(dìng)義方(fāng)法(fǎ)

支持用(yòng)戶(hù)自定義組(zǔ)合測量(liáng),用(yòng)戶可以設定定時循環(huán)進(jìn)行(háng)某(mǒu)一(yī)測試方法或(huò)多種(zhǒng)方法(fǎ)的組(zǔ)合測(cè)試(shì),用(yòng)於無人值守下(xià)的定時自動(dòng)測量;

提(tí)供API通用接口(kǒu)函數(shù)和開發實例,方(fāng)便用(yòng)戶二(èr)次開發和自(zì)定義(yì)測試方(fāng)法;

提供用(yòng)戶(hù)自(zì)定義腳(jiǎo)本編(biān)寫範例,用於(yú)實(shí)現您*的電化學實(shí)驗技術(shù)。

二(èr),技術參數

硬件(jiàn)參(cān)數(shù)指標

恒(héng)電(diàn)位控製範圍:±10V

恒電流控製範圍:±2.0A

電位(wèi)控製(zhì)精度:0.1%×滿量(liáng)程(chéng)讀數±1mV

電流控製(zhì)精度(dù):0.1%×滿量(liáng)程(chéng)讀數(shù)

電(diàn)位靈(líng)敏度(dù):10μV(>100Hz),3μV(<10Hz)

電(diàn)流(liú)靈敏(mǐn)度(dù):1pA

電位上升時間(jiān):﹤1μS(<10mA),<10μS(<2A)

電流(liú)量程(chéng):2nA~2A,共10檔

參(cān)比(bǐ)電輸(shū)入阻抗(kàng):1012Ω||20pF

大(dà)輸出(chū)電(diàn)流:2.0A

槽壓(yā)輸出:±21V(可擴展(zhǎn)至(zhì)±200V)

電流掃描(miáo)增(zēng)量:1mA@1A/mS

CV和LSV掃(sǎo)描速度:0.001mV~10000V/s

電位(wèi)掃(sǎo)描電(diàn)位增量:0.076mV@1V/mS

CA和CC脈(mài)衝寬度:0.0001~65000s

DPV和NPV脈衝(chōng)寬(kuān)度:0.0001~1000s

SWV頻(pín)率(shuài):0.001~100KHz

CV的(dí)小(xiǎo)電位(wèi)增量:0.075mV

AD數(shù)據采(cǎi)集:16bit@1MHz,20bit@1KHz

電流(liú)與電位量程(chéng):自(zì)動設置

DA分(fēn)辨(biàn)率:16bit,建立(lì)時間:1μS

低通(tōng)濾(lǜ)波(bō)器(qì):8段(duàn)可編(biān)程

通訊接(jiē)口:USB2.0

儀器重量:6.5Kg

外形(xíng)尺(chǐ)寸(cùn)(cm):36.4(W)X32.0(D)X16.0(H)



配置:

1)儀器(qì)主機(jī)1台

2)CS Studio測(cè)試(shì)與(yǔ)分析軟(ruǎn)件1套(tào)

3)模(mó)擬電解(jiě)池(chí)1個(gè)

4)電源(yuán)綫/USB數據綫各(gè)1條

5)電(diàn)電纜(lǎn)綫1條

6)電腦(選(xuǎn)配*)

三,功能(néng)方法(fǎ)

CS單通(tōng)道係列(liè)不(bù)同(tóng)型(xíng)號(hào)功能(néng)方(fāng)法比較(jiào)

功能(néng)方(fāng)法(fǎ)

CS150H

CS300H

CS310H

CS350H

穩態化(huà)

開(kāi)路(lù)電位(wèi)(OCP)

恒電位化(huà)(i-t曲綫)

恒電流化

動(dòng)電位(wèi)掃(sǎo)描(miáo)(Tafel曲綫(xiàn))

動電流掃描(miáo)(DGP)

電位(wèi)掃(sǎo)描-階躍




暫(zàn)態化(huà)

任意(yì)恒(héng)電位階(jiē)梯(tī)波

任(rèn)意(yì)恒電流(liú)階梯波

恒電位(wèi)階(jiē)躍(yuè)(VSTEP)

恒電(diàn)流階躍(yuè)(ISTEP)

計時分析

計(jì)時(shí)電位法(CP)


計時(shí)電流法(CA)


計時電(diàn)量(liáng)法(CC)


伏(fú)安分析(xī)

綫(xiàn)性(xìng)掃(sǎo)描(miáo)伏(fú)安(ān)(LSV)

綫性(xìng)循(xún)環伏(fú)安(CV)

階梯循環伏安(SCV)



方波(bō)伏安(SWV)



差分脈(mài)衝(chōng)伏安(DPV)



常(cháng)規脈衝(chōng)伏(fú)安(ān)(NPV)



差分常規(guī)脈(mài)衝伏安(ān)(DNPV)



交流伏安(ACV)



二(èr)次諧波(bō)交流(liú)伏(fú)安(SHACV)



傅裏葉變(biàn)換交流(liú)伏安(FTACV)



電(diàn)流檢測(cè)

差分脈衝(chōng)電流檢測(DPA)




雙差分(fēn)脈(mài)衝電流(liú)檢測(cè)(DDPA)




三脈(mài)衝(chōng)電流檢(jiǎn)測(TPA)




積(jī)分脈衝電(diàn)流(liú)檢測(cè)(IPAD)




溶出伏安(ān)

電位溶(róng)出分析(PSA)



綫(xiàn)性(xìng)掃描溶出(chū)伏安(LSSV)



階梯溶(róng)出伏安(SCSV)



方波(bō)溶(róng)出(chū)伏安(SWSV)



差(chà)分脈衝溶出(chū)伏(fú)安(DPSV)



常(cháng)規脈衝溶出(chū)伏安(ān)(NPSV)



差(chà)分常(cháng)規(guī)脈衝溶出伏(fú)安(DNPSV)



交流(liú)阻抗

阻抗-頻(pín)率(shuài)掃描



阻(zǔ)抗-時(shí)間掃描(miáo)



阻(zǔ)抗(kàng)-電位掃描(miáo)(Mott-Schottky曲(qū)綫)



充放電(diàn)測試

電(diàn)池充放(fàng)電

恒電流充放電(GCD)

恒(héng)電位充(chōng)放電

恒電位(wèi)間歇滴定技(jì)術(shù)(PITT)

恒電(diàn)流間(jiān)歇(xiē)滴定(dìng)技(jì)術(GITT)

雙恒測(cè)量

氫擴散測試(HDT)





盤環電測試(shì)





擴展測量

電化學(xué)噪聲(EN)

數字記(jì)錄儀

電化學溶解/沉積

控製電位(wèi)電解(jiě)庫倫法(BE)

動電位(wèi)再活化法(EPR)

溶液電阻測量(liáng)

循環化曲(qū)綫(CPP)


注:

*氫擴散(sàn)及(jí)旋轉(zhuǎn)盤(pán)環電測試需配(pèi)置(zhì)CS1002恒(héng)電位/恒電流(liú)儀(yí)或(huò)采(cǎi)用(yòng)CS2350雙恒(héng)電(diàn)位儀。

*光電(diàn)測(cè)量(liáng)功能(néng)用戶(hù)選配。

*產品3年質保。




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