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武漢科(kē)思(sī)特電(diàn)化學(xué)工(gōng)作站

簡要描述(shù):武漢(hàn)科(kē)思特電化學工作(zuò)站CS300H采用雙通道相關分析器(qì)和雙(shuāng)通(tōng)道高(gāo)速(sù)16bit /高(gāo)精(jīng)度24bit AD轉(zhuǎn)換(huàn)器(qì),為(wéi)涉(shè)及能(néng)源,材料,生(shēng)命科(kē)學,環(huán)保等領(lǐng)域的(dí)科(kē)技(jì)工(gōng)作(zuò)者(zhě)提供了的(dí)科研平(píng)台(tái)。

產品(pǐn)型號(hào): CS300H

所屬(shǔ)分(fēn)類:武漢科思特(tè)電化學工作站

更(gēng)新時(shí)間(jiān):2024-10-10

廠商(shāng)性(xìng)質(zhì):經銷商(shāng)

詳情介紹(shào)
品(pǐn)牌(pái)CorrTest/科思(sī)特電位精(jīng)度(dù)0.1%×滿(mǎn)量程讀數(shù)±1mV
恒(héng)電(diàn)位範圍(wéi)±2.0v電流範(fàn)圍2nA~2AmA
交流(liú)阻抗頻率(shuài)範圍無Hz電流(liú)精度(dù)0.1%×滿(mǎn)量(liáng)程讀(dú)數
產地類(lèi)別國產價(jià)格區(qū)間(jiān)麵(miàn)議(yì)
儀器種(zhǒng)類(lèi)電化(huà)學(xué)工(gōng)作站應用領(lǐng)域醫(yī)療衛生(shēng),化工(gōng),生物(wù)產(chǎn)業,能(néng)源,電(diàn)子/電池
恒電位(wèi)控(kòng)製範圍±10V電(diàn)位(wèi)控(kòng)製(zhì)精度(dù)0.1%×滿量程讀數±1mV
電(diàn)位靈敏(mǐn)度(dù)10μV(>100Hz), 3μV(<10Hz)電(diàn)位上升(shēng)時(shí)間(jiān):﹤1μS(<10mA),<10μS(<2A)
參比(bǐ)電極(jí)輸入阻抗1012Ω||20pF槽壓輸出±21V (可擴展至±200V)
CV和(hé)LSV掃描速度0.001mV~10000V/sCA和CC脈(mài)衝(chōng)寬度0.0001~65000s
SWV頻率0.001~100KHzAD數據采集16bit@1MHz,20bit @1KHz
DA分辨率16bit通訊(xùn)接口USB2.0
外形(xíng)尺寸(cùn)(cm)36.5(W)X30.5 (D)X16 (H)恒電(diàn)流(liú)控製範(fàn)圍±2.0A
電流(liú)控(kòng)製(zhì)精(jīng)度(dù)0.1%×滿(mǎn)量程讀數(shù)電流靈(líng)敏(mǐn)度1pA
電(diàn)流量程2nA~2A, 共(gòng)10檔最(zuì)大輸(shū)出(chū)電流(liú)2.0A
電流掃(sǎo)描增(zēng)量1mA @1A/mS電位掃(sǎo)描電位增(zēng)量(liáng)0.076mV @1V/mS
DPV和NPV脈衝寬度0.0001~1000sCV的(dí)最(zuì)小電位(wèi)增量0.075mV
電流與電位量程自動設置低通濾(lǜ)波器(qì) 8段可編程(chéng)
儀器重量6.5Kg

一(yī),產品介紹(shào)

武漢(hàn)科(kē)思特電(diàn)化(huà)學(xué)工(gōng)作站采用全浮地式設(shè)計,具(jù)有(yǒu)出色的穩(wěn)定(dìng)性(xìng)和度,*硬件和功(gōng)能*的(dí)軟件(jiàn),為涉及(jí)能(néng)源,材(cái)料,生命(mìng)科(kē)學,環保等領(lǐng)域(yù)的(dí)科技工作者提供了(liǎo)的科研(yán)平台(tái)。

◆應用

(1)電合(hé)成(chéng),電沉積(電(diàn)鍍),陽氧化,電解(jiě)等反(fǎn)應(yīng)機(jī)理研究(jiū);

(2)電化(huà)學(xué)分(fēn)析研(yán)究(jiū);

(3)能源(yuán)材料(liào)(鋰離子(zǐ)電池,太陽能(néng)電池,燃(rán)料動(dòng)力(lì)電池和(hé)超級電(diàn)容(róng)器(qì)等(děng)),*功能材(cái)料(liào)以(yǐ)及傳感(gǎn)器的(dí)性(xìng)能(néng)研(yán)究;

(4)金屬材(cái)料(liào)的(dí)腐(fǔ)蝕行(háng)為研(yán)究(jiū)與(yǔ)耐蝕(shí)性評(píng)價;

(5)緩蝕(shí)劑,水質穩定(dìng)劑,塗(tú)層(céng)以及陰(yīn)保(bǎo)護(hù)效(xiào)率的快(kuài)速(sù)評價。

硬(yìng)件(jiàn)特點

雙通道(dào)相(xiāng)關(guān)分(fēn)析器和(hé)雙通(tōng)道高速16bit/高(gāo)精度(dù)24bit AD轉(zhuǎn)換器(qì)

高帶寬高(gāo)輸(shū)入阻抗的放(fàng)大器

內置(zhì)FPGA DDS信號(hào)合成(chéng)器(qì)

高功率(shuài)恒電位(wèi)儀/恒電流儀/零(líng)電阻電(diàn)流計(jì)

電壓控製範(fàn)圍:±10V,槽壓為±21V(可擴展至±200V)

電(diàn)流控製範(fàn)圍:±2.0A(可(kě)擴展至20A)

電(diàn)位(wèi)分辨率(shuài):10μV,電(diàn)流分辨(biàn)率:1pA(可延伸(shēn)至(zhì)100fA)

軟(ruǎn)件特點(diǎn)

①數(shù)據分(fēn)析(xī)

伏安(ān)曲綫的平(píng)滑,積分和微分運(yùn)算,計(jì)算(suàn)各氧(yǎng)化還(huán)原峰的(dí)峰(fēng)電(diàn)流(liú),峰(fēng)電位(wèi)和(hé)峰(fēng)麵(miàn)積等(děng);

化曲綫(xiàn)的三參數或四參數(shù)動力學(xué)解析,計算Tafel斜率ba,bc,腐蝕電(diàn)流密(mì)度icorr,限擴散電(diàn)流(liú),化電阻(zǔ)Rp和(hé)腐蝕(shí)速率等,還可(kě)由(yóu)電(diàn)化學(xué)噪聲譜計(jì)算功率譜密(mì)度,噪聲(shēng)電阻Rn和(hé)譜(pǔ)噪聲電(diàn)阻Rsn(f)。

②實時(shí)存儲

CS Studio實時存(cún)儲測量數據(jù),即使因斷電導(dǎo)致(zhì)測試(shì)中(zhōng)斷,中斷之(zhī)前(qián)的數據也(yě)會自(zì)動(dòng)保存(cún)。

③定時(shí)測量

CS Studio測試(shì)軟(ruǎn)件(jiàn)具(jù)有(yǒu)定時測量(liáng)功(gōng)能(néng),對(duì)於某些需要研究體係隨(suí)時間變(biàn)化(huà)特征(zhēng)時,可提(tí)前(qián)設(shè)好測(cè)試(shì)參(cān)數(shù)與(yǔ)間(jiān)隔(gé)時(shí)間(jiān),讓儀器在(zài)無(wú)人(rén)值守(shǒu)下自動(dòng)定時(shí)測量(liáng),為(wéi)實驗提(tí)供(gōng)方便。

技術優勢

①化(huà)曲(qū)綫

具有(yǒu)綫(xiàn)性(xìng)化和Tafel化曲(qū)綫測量(liáng)功(gōng)能,用(yòng)戶可設定(dìng)循(xún)環化(huà)曲(qū)綫的(dí)陽回(huí)掃電(diàn)流(鈍(dùn)化膜擊穿電(diàn)流),來(lái)確(què)定材料的點蝕電(diàn)位和(hé)保護(hù)電位(wèi),評價晶間(jiān)腐蝕敏感性。軟件采(cǎi)用(yòng)非綫性(xìng)擬(nǐ)合算法解析化曲綫,可(kě)用於材料(liào)耐蝕性(xìng)和緩蝕劑(jì)性(xìng)能的快(kuài)速評價。

②伏安分析(xī)

能完成綫性(xìng)掃(sǎo)描(miáo)伏安(LSV),循環伏安(CV),階(jiē)梯伏(fú)安(SCV),方波伏(fú)安(SWV),差(chà)分(fēn)脈衝(chōng)伏安(DPV),交流伏安(ACV),溶出伏(fú)安等(děng)多種電(diàn)分(fēn)析方法,集(jí)成(chéng)峰麵積,峰電(diàn)流(liú)計算和標(biāo)準曲綫分(fēn)析(xī)功(gōng)能。

③電化(huà)學噪聲(shēng)

采(cǎi)用高(gāo)阻跟(gēn)隨器(qì)和零阻電(diàn)流計測量腐蝕體係自發的(dí)電(diàn)位(wèi)與電(diàn)流波動,可用(yòng)於點蝕,電(diàn)偶腐(fǔ)蝕,縫(féng)隙腐蝕和(hé)應(yīng)力腐(fǔ)蝕(shí)開裂(liè)等局部腐蝕研究。通過(guò)噪(zào)聲譜分析,可評估亞(yà)穩(wěn)態蝕點或(huò)裂紋(wén)的誘導,生(shēng)長(cháng)和(hé)死(sǐ)亡過(guò)程(chéng)。基於(yú)噪(zào)聲(shēng)電阻和點(diǎn)蝕指(zhǐ)數計算,也可用於局部(bù)腐蝕(shí)監(jiān)測。

④功率(shuài)擴(kuò)展

CS係列(liè)電化(huà)學(xué)工作站(zhàn)的電流控(kòng)製範(fàn)圍為±2.0A,槽(cáo)壓(yā)輸(shū)出(chū)≥21V,可(kě)滿(mǎn)足燃(rán)料動力電池(chí),大功率電(diàn)池充(chōng)放電,電(diàn)化學電(diàn)解或(huò)電(diàn)沉積等(děng)領域的(dí)需求。采用(yòng)專用的功率擴(kuò)展(zhǎn)器,大(dà)輸出電流(liú)可達(dá)20A,槽(cáo)壓±200V。

⑤全浮(fú)地測量(liáng)

武(wǔ)漢科思特(tè)電(diàn)化學(xué)工作站CS係列(liè)采用(yòng)全(quán)浮地(dì)式工作(zuò)電,可(kě)用於工作電本身接地體係的電化學研(yán)究,如用(yòng)於高壓(yā)釜(fǔ)電化學(xué)測(cè)試(shì)(釜(fǔ)體(tǐ)接(jiē)地(dì)),大地(dì)中(zhōng)金(jīn)屬構件(jiàn)(橋(qiáo)梁,混(hùn)凝土鋼(gāng)筋)的在(zài)綫腐(fǔ)蝕研(yán)究等。

⑥光電測試模(mó)塊

CS電化學(xué)工(gōng)作站(zhàn)可以(yǐ)與(yǔ)光強計(jì),分光光度(dù)計(jì)聯(lián)用(yòng),用於光(guāng)電化學測量(liáng),在(zài)進(jìn)行(háng)電化學測量(liáng)的(dí)同(tóng)時記錄(lù)光電(diàn)流(liú)或光譜響(xiǎng)應信號(hào)。

⑦自定義(yì)方(fāng)法(fǎ)

支持用(yòng)戶(hù)自定(dìng)義組合(hé)測量,用戶(hù)可以設(shè)定(dìng)時循環(huán)進(jìn)行(háng)某一(yī)測(cè)試方法或多種方法(fǎ)的組合(hé)測(cè)試,用於(yú)無(wú)人值守(shǒu)下(xià)的定時自動測(cè)量(liáng);

提供(gōng)API通用(yòng)接口(kǒu)函(hán)數和開(kāi)發實(shí)例,方便用戶二次開發和自定義(yì)測(cè)試方法(fǎ);

提供用戶(hù)自定(dìng)義腳(jiǎo)本編寫(xiě)範例(lì),用於(yú)實(shí)現您*的電化(huà)學實(shí)驗(yàn)技術(shù)。

技術參(cān)數

硬件(jiàn)參(cān)數(shù)指標(biāo)

恒電位控(kòng)製範圍:±10V

恒電流控製(zhì)範圍:±2.0A

電(diàn)位控製精(jīng)度:0.1%×滿(mǎn)量程讀數(shù)±1mV

電(diàn)流(liú)控(kòng)製精(jīng)度:0.1%×滿(mǎn)量程(chéng)讀數

電位(wèi)靈敏(mǐn)度(dù):10μV(>100Hz),3μV(<10Hz)

電流靈(líng)敏(mǐn)度(dù):1pA

電位上(shàng)升(shēng)時間(jiān):﹤1μS(<10mA),<10μS(<2A)

電(diàn)流量程:2nA~2A,共(gòng)10檔(dàng)

參比電輸入阻抗:1012Ω||20pF

大(dà)輸出(chū)電流:2.0A

槽(cáo)壓(yā)輸出:±21V(可擴展(zhǎn)至±200V)

電(diàn)流掃描增量:1mA@1A/mS

CV和LSV掃(sǎo)描速度:0.001mV~10000V/s

電(diàn)位掃描(miáo)電位增量(liáng):0.076mV@1V/mS

CA和CC脈(mài)衝(chōng)寬度(dù):0.0001~65000s

DPV和(hé)NPV脈衝(chōng)寬度(dù):0.0001~1000s

SWV頻率:0.001~100KHz

CV的(dí)小(xiǎo)電位(wèi)增量(liáng):0.075mV

AD數(shù)據(jù)采集(jí):16bit@1MHz,20bit@1KHz

電流與電位(wèi)量程:自動設(shè)置

DA分(fēn)辨率:16bit,建立時間(jiān):1μS

低(dī)通(tōng)濾(lǜ)波器(qì):8段(duàn)可編程

通(tōng)訊(xùn)接口:USB2.0

儀(yí)器重量:6.5Kg

外形(xíng)尺(chǐ)寸(cùn)(cm):36.4(W)X32.0(D)X16.0(H)



配置:

1)儀器(qì)主機(jī)1台

2)CS Studio測試(shì)與分析軟件(jiàn)1套

3)模(mó)擬電(diàn)解池1個

4)電源綫(xiàn)/USB數據綫各1條(tiáo)

5)電(diàn)電纜(lǎn)綫1條

6)電腦(選配*)

二,功(gōng)能方法

CS單(dān)通道係列(liè)不同(tóng)型(xíng)號功(gōng)能方法(fǎ)比較

功(gōng)能(néng)方(fāng)法

CS150H

CS300H

CS310H

CS350H

穩(wěn)態化

開路電(diàn)位(OCP)

恒電位化(i-t曲綫)

恒電(diàn)流化(huà)

動電位(wèi)掃描(Tafel曲綫(xiàn))

動電(diàn)流掃描(DGP)

電(diàn)位(wèi)掃描-階(jiē)躍(yuè)




暫態(tài)化

任(rèn)意恒電位階梯波(bō)

任(rèn)意(yì)恒電流階(jiē)梯波(bō)

恒(héng)電位階躍(VSTEP)

恒(héng)電流階躍(ISTEP)

計時(shí)分析

計(jì)時電位法(CP)


計時(shí)電(diàn)流(liú)法(CA)


計(jì)時電(diàn)量法(CC)


伏安分(fēn)析

綫性掃(sǎo)描伏安(ān)(LSV)

綫(xiàn)性循環(huán)伏安(CV)

階(jiē)梯循環(huán)伏(fú)安(SCV)



方(fāng)波伏安(ān)(SWV)



差(chà)分(fēn)脈(mài)衝伏安(DPV)



常規脈衝伏安(ān)(NPV)



差(chà)分常(cháng)規(guī)脈衝(chōng)伏(fú)安(ān)(DNPV)



交流伏安(ACV)



二次諧(xié)波交流伏安(SHACV)



傅(fù)裏葉(yè)變(biàn)換交流(liú)伏安(ān)(FTACV)



電流檢(jiǎn)測

差分脈衝(chōng)電流(liú)檢(jiǎn)測(cè)(DPA)




雙(shuāng)差(chà)分脈衝(chōng)電(diàn)流檢(jiǎn)測(DDPA)




三脈衝電(diàn)流檢測(TPA)




積(jī)分(fēn)脈(mài)衝電流檢測(cè)(IPAD)




溶(róng)出(chū)伏安(ān)

電(diàn)位(wèi)溶出分(fēn)析(xī)(PSA)



綫性(xìng)掃描(miáo)溶出伏安(LSSV)



階(jiē)梯(tī)溶(róng)出(chū)伏(fú)安(SCSV)



方波(bō)溶出(chū)伏(fú)安(ān)(SWSV)



差分(fēn)脈衝(chōng)溶出伏安(ān)(DPSV)



常(cháng)規脈衝溶(róng)出伏安(NPSV)



差分常規脈衝溶出伏(fú)安(DNPSV)



交(jiāo)流阻(zǔ)抗

阻抗-頻(pín)率(shuài)掃描



阻抗(kàng)-時間掃描(miáo)



阻抗-電(diàn)位掃描(Mott-Schottky曲綫)



充放電測(cè)試(shì)

電池(chí)充放(fàng)電(diàn)

恒電(diàn)流充(chōng)放(fàng)電(GCD)

恒電位(wèi)充放電(diàn)

恒(héng)電(diàn)位(wèi)間歇(xiē)滴(dī)定技術(PITT)

恒電(diàn)流(liú)間(jiān)歇滴定技(jì)術(GITT)

雙恒測(cè)量

氫(qīng)擴(kuò)散(sàn)測試(HDT)





盤環(huán)電測試





擴展(zhǎn)測(cè)量

電(diàn)化(huà)學噪聲(EN)

數(shù)字(zì)記錄儀

電(diàn)化(huà)學溶(róng)解(jiě)/沉(chén)積(jī)

控製(zhì)電位(wèi)電解庫(kù)倫法(fǎ)(BE)

動(dòng)電位再(zài)活化(huà)法(EPR)

溶(róng)液電(diàn)阻(zǔ)測(cè)量

循(xún)環化(huà)曲綫(CPP)


注:

*氫擴散及旋轉(zhuǎn)盤環(huán)電測試(shì)需配(pèi)置CS1002恒電(diàn)位(wèi)/恒(héng)電流儀(yí)或采(cǎi)用(yòng)CS2350雙(shuāng)恒電(diàn)位儀。

*光電測量功能用戶(hù)選配。

*產(chǎn)品(pǐn)3年(nián)質保(bǎo)。



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