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  • 上(shàng)海(hǎi)辰(chén)華(huá)CHI200B微(wēi)電(diàn)流(liú)放大器(qì)及屏(píng)蔽箱(xiāng)
    上海(hǎi)辰華(huá)CHI200B微(wēi)電(diàn)流(liú)放(fàng)大器及屏(píng)蔽(bì)箱

    上海(hǎi)辰(chén)華(huá)CHI200B微電(diàn)流放(fàng)大(dà)器及屏(píng)蔽箱(xiāng)與 600A/B/C/D/E,700B/C/D /E和 800B/C /D係(xì) 列(liè) 的 儀 器(qì) 相(xiāng) 連(lián) 接 , 可 測(cè) 量 1 pA 或(huò) 更(gēng) 低 的 電(diàn) 流 。

    更(gēng)新時間(jiān):2023-08-03型(xíng)號(hào):瀏(liú)覽量:4141
  • 上海(hǎi)辰(chén)華CHI1200C雙恒電(diàn)位儀
    上(shàng)海(hǎi)辰華CHI1200C雙恒電(diàn)位(wèi)儀

    雙恒電位儀(yí)是(shì)一種用於測(cè)量電位差的(dí)儀(yí)器。它(tā)由兩(liǎng)個(gè)參考電(diàn)極(jí)和(hé)一個測量(liáng)電極組成。參(cān)考電(diàn)極有(yǒu)穩定的電勢,常(cháng)用的(dí)是銀(yín)/氯(lǜ)化銀電極或(huò)飽(bǎo)和(hé)甘(gān)汞電極。測量(liáng)電(diàn)極用(yòng)於(yú)接觸被(bèi)測體(tǐ)並測量其電勢(shì)。

    更新時間:2023-08-04型(xíng)號(hào):上(shàng)海辰華(huá)CHI1200C瀏覽量:3257
  • 上海辰華CHI1100C大功(gōng)率恒電位(wèi)儀/恒(héng)電流儀(yí)
    上海辰華(huá)CHI1100C大(dà)功(gōng)率(shuài)恒電位儀/恒電流儀(yí)

    上海辰(chén)華(huá)CHI1100C大功率(shuài)恒電(diàn)位(wèi)儀(yí)/恒電流儀主 要 用(yòng) 於(yú) 需(xū) 要(yào) 較(jiào) 大 電(diàn) 流 和 較(jiào) 高 槽(cáo) 壓(yā) 的 電 化 學 測(cè) 量(liáng) 和 應 用 , 例 如 電 池 , 腐(fǔ) 蝕(shí) , 電 解(jiě) , 電 鍍(dù) 等(děng) 。 儀 器 由 數(shù) 字(zì) 信(xìn) 號 發 生 器(qì) , 數(shù) 據 采 集(jí) 係 統 , 和 恒(héng) 電 位(wèi) 儀(yí) / 恒 電 流 儀(yí) 組 成(chéng) 。 儀 器 的(dí) 電 流(liú) 範(fàn) 圍 為(wéi)±2 A, 槽 壓(yā) 為 ±25 V。

    更(gēng)新時(shí)間(jiān):2023-08-03型(xíng)號:瀏覽量:3045
  • 上海(hǎi)辰(chén)華CHI400C係列電化(huà)學(xué)石英晶體微天(tiān)平(píng)
    上海辰(chén)華CHI400C係列(liè)電化學(xué)石(shí)英(yīng)晶體(tǐ)微天平(píng)

    上海(hǎi)辰華CHI400C是CH Instruments與武(wǔ)漢大學(xué)合作的產品。石英晶(jīng)體微(wēi)天(tiān)平(QCM)可(kě)進(jìn)行靈敏的質(zhì)量測量。在(zài)適當(dāng)的條(tiáo)件下,上(shàng)海辰華CHI400C係列電化(huà)學石英晶(jīng)體(tǐ)微天(tiān)平石英晶體上沉(chén)積的(dí)質量變化(huà)和(hé)振動頻率移(yí)動之間關係(xì)呈(chéng)簡(jiǎn)單(dān)的綫(xiàn)性(xìng)關係(Sauerbrey公式(shì)):

    更新時(shí)間:2023-08-03型(xíng)號(hào):瀏(liú)覽量(liáng):3792
  • 上(shàng)海辰(chén)華CHI900D/920D掃(sǎo)描(miáo)電(diàn)化學顯微鏡
    上(shàng)海(hǎi)辰華(huá)CHI900D/920D掃描電(diàn)化學顯微鏡(jìng)

    上(shàng)海(hǎi)辰(chén)華CHI900D/920D掃(sǎo)描(miáo)電化(huà)學(xué)顯(xiǎn)微(wēi)鏡(jìng)與掃描(miáo)隧道顯微(wēi)鏡(STM)的工(gōng)作(zuò)原理(lǐ)類似。但(dàn)SECM測(cè)量的不是隧(suì)道電流(liú),而是由化(huà)學(xué)物質(zhì)氧化或(huò)還原給(gěi)出(chū)的(dí)電化(huà)學(xué)電流。盡管SECM的(dí)分(fēn)辨(biàn)率較STM低,但(dàn)SECM的(dí)樣品(pǐn)可(kě)以是導(dǎo)體(tǐ),絕緣體(tǐ)或(huò)半導體,而STM隻限於導體表(biǎo)麵(miàn)的測量(liáng)。SECM除(chú)了能(néng)給出樣品表麵的(dí)地形地貌外(wài),還能提供豐(fēng)富(fù)的化(huà)學信息。其可(kě)觀察表麵的範圍也(yě)大得多。

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